NTMS4935NR2G參數：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductObsolescence30/Jun/2011標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.1毫歐@7.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：52.1nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3639pF@25V功率-最大值：810mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SOICN
