NTMS4P01R2參數(shù):MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence30/Dec/2003標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):12V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):3.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):45毫歐@4.5A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.15V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1850pF@9.6V功率-最大值:790mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOICN