NTMS5P02R2G參數:MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
類別:分立半導體產品-FET - 單產品變化通告: WireChange20/Aug/2008標準包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3.95A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):33毫歐@5.4A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.25V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):35nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1900pF@16V功率-最大值:790mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應商器件封裝:8-SOICN