NTMS7N03R2參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： WireChange20/Aug/2008 ProductDiscontinuation20/Aug/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：23毫歐@7A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：43nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1190pF@25V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
