NTMSD2P102LR2參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： Discontinuation30/Jun/2006標準包裝：2,500系列：FETKY™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：90毫歐@2.4A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：750pF@16V功率-最大值：710mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SOICN
