NTMSD3P102R2SG參數(shù):MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: WireChange12/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:FETKY™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:二極管(隔離式)漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):2.34A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):85毫歐@3.05A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):750pF@16V功率-最大值:730mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOICN