NTMSD6N303R2G參數(shù):MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence14/Apr/2010標準包裝:2,500系列:FETKY™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:二極管(隔離式)漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):32毫歐@6A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):30nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):950pF@24V功率-最大值:2W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應商器件封裝:8-SOICN