NTQD6866R2G參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation03/Apr/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：32毫歐@6.9A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：22nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1400pF@16V功率-最大值：940mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP
