NTQS6463R2參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation02/Jan/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@6.8A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：50nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：-功率-最大值：1.39W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP
