NTR1P02LT1G參數(shù):MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):1.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):220毫歐@750mA,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.25V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):5.5nC@4V不同Vds時的輸入電容(Ciss):225pF@5V功率-最大值:400mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)