NTR1P02T1參數(shù):MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation20/Aug/2008 WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):180毫歐@1.5A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):2.5nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):165pF@5V功率-最大值:400mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)