NTR2101PT1參數(shù):MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: LTBNotification03/Jan/2008 WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):8V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):-不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):52毫歐@3.5A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1173pF@4V功率-最大值:960mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)