NTTD1P02R2參數(shù)：MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence06/Oct/2006標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.45A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：160毫歐@1.45A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：265pF@16V功率-最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm寬）供應(yīng)商器件封裝：Micro8?
