NTTS2P03R2G參數(shù):MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence21/Jan/2010標準包裝:4,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):2.1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):85毫歐@2.48A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):22nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):500pF@24V功率-最大值:600mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm寬)供應(yīng)商器件封裝:Micro8?