NTTS2P02R2參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：90毫歐@2.4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：18nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：550pF@16V功率-最大值：780mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm寬）供應(yīng)商器件封裝：Micro8?
