NTZD5110NT1G參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：4,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：294mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.6 歐姆 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：24.5pF @ 20V功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：SOT-563
