NTZS3151PT1G參數(shù):MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:4,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):860mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 950mA,4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):5.6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):458pF @ 16V功率 - 最大值:170mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-563,SOT-666供應商器件封裝:SOT-563