NVD5117PLT4G參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：61A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 29A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：85nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4800pF @ 25V功率 - 最大值：4.1W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3
