NVF2955T1G參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.6A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 750mA，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：14.3nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：492pF @ 25V功率 - 最大值：2.3W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
