NVF3055L108T1G參數(shù):MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1.5A,5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):15nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):440pF @ 25V功率 - 最大值:1.3W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:SOT-223