NVF2955PT1G參數(shù)：MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation04/Jan/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：185毫歐@2.4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：14.3nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：492pF@25V功率-最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
