NVMFD5877NLT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：1,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：39 毫歐 @ 7.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：540pF @ 25V功率 - 最大值：3.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應商器件封裝：8-DFN（5x6）
