NVMS10P02R2G參數：MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：10A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：-不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC N
