NVTFS5116PLTAG參數(shù):MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):6A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 7A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1258pF @ 25V功率 - 最大值:3.2W安裝類型:表面貼裝封裝:8-WDFN 裸露焊盤(pán)供應(yīng)商器件封裝:8-WDFN(3.3x3.3)