NVTFS5820NLTWG參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：5,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：11A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：11.5 毫歐 @ 8.7A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1462pF @ 25V功率 - 最大值：3.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）
