NVTR01P02LT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：220 毫歐 @ 750mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.1nC @ 4V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：225pF @ 5V功率 - 最大值：400mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3
