TPC8062-H,LQ(CM
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TPC8062-H,LQ(CM參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：18A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5.8 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 300µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2900pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP