TPC8114(TE12L,Q,M)參數(shù):MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: TCP8SeriesTop TCP8SeriesEnd標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):18A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):4.5毫歐@9A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):180nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):7480pF@10V功率-最大值:-安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.173",4.40mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)