TPCC8A01-H(TE12LQM參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： 8TSONTop 8TSONSide標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：21A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：9.9毫歐@10.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.3V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：20nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1900pF@10V功率-最大值：30W安裝類型：表面貼裝封裝：8-VDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-TSON
