TPCF8201(TE85L,F,M參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品目錄繪圖: TPC8xxxSeriesSide TPC8xxxSeriesTop標準包裝:4,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:2個N溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):49毫歐@1.5A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.2V@200µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):7.5nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):590pF@10V功率-最大值:530mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SMD,扁平引線供應(yīng)商器件封裝:VS-8(2.9x1.9)