TPCF8B01(TE85L,F,M參數(shù)：MOSFET P-CH SBD 20V 2.7A VS-8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：4,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：二極管（隔離式）漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：110 毫歐 @ 1.4A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：470pF @ 10V功率 - 最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）