TPS1120DG4參數(shù)：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：75系列：-包裝：管件FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：15V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.17A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.45nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：840mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC
